Посада: доцент

Освіта:
Публікації:
Наукові інтереси
  • test
  • test
Сторінка на intellect.kpi.ua

Напрямок науково-дослідницької діяльності:
– фізична електроніка;
– іонно-плазмова техніка і технологія;
– нанотехнології в електроніці та в отримані нанорозмірних структур;
– потужна імпульсна техніка і технологія;
– комп’ютерне індивідуальне навчання.

•    Перелік науково-дослідних робіт:
1. Роботи виконані на кафедрі ЕПта Пр НТУУ “КПІ” за рахунок бюджету МОН України:
–  Дослідження та моделювання високовольтного тліючого та вакуумно-дугового розрядів для застосування в термоіонних технологіях осадження покриттів (тема 2716-ф – 2004/05); ДР №  0104U003028.
–  Моделювання та дослідження розрядів низького тиску з вторинними емітерами для генерації та керування потужними електронними потоками (тема 2513-ф – 2002/03); ДР №  0102U000812.

2.  Роботи виконані в НДІ Прикладної електроніки (НТУУ “КПІ”) на підставі Угоді між Урядом України і Урядом Республіки Білорусь про наукове-технічне співробітництва від 17.02.1992 р., положення протоколу Міжурядової Білорусько-Української комісії з співробітництва в області науки і технології від 19-20 червня 2003 р. та наказу МОН України від 08.09.2003 р. № 600 “Про фінансування українсько-білоруських проектів в 2003 р.”; зарубіжний партнер – Фізико-технічний інститут НАН Республіки Білорусь, м. Мінськ
–  Розробка потужних імпульсних систем розпилення матеріалів на основі магнетронних і дугових систем і прив’язка їх до технологічних процесів із метою одержання нових тонко – і товстошарових покриттів (тема М/456-2003 – 2003/04). ДР № 0103U002207.
–  Розробка могутніх імпульсних систем і отримання товстошарових покриттів (тема М/457-2003 – 2003/04). ДР № 0103U002208.

 

3. Роботи виконані на кафедрі ЕП та Пр НТУУ “КПІ” з особистої ініціативи:

– Розробка магнетронних розпилювальних систем для нанесення тонких шарів матеріалів на різноманітну основу.
– Розробка імпульсних модуляторів для живлення іонно-плазмових технологічних пристроїв.
– Розробка індукційних випарників для вакуумного осадження плівок та покриттів.

 

•    Перелік отриманих патентів України:
Деклараційний патент України на корисну модель № 13134  Джерело іонізованого парового потоку/ А.І. Кузьмичєв, Л.Ю. Цибульський. 15.03. 2006. Бюл. № 3.

Джерело іонізованого парового потоку / А.І. Кузьмичєв, Л.Ю. Цибульський // Деклараційний патент України на корисну модель № 13134, 2006. – Бюл. № 3. – 2006.

Устройство для индукционного испарения в вакууме / В.Н. Гутник, С.В. Денбновецкий, В.М. Коптенко, А.І. Кузьмичёв, А.Г. Табачковский, Л.Ю. Цыбульский // Авт. св. СССР № 1545653, 1989.

Генератор потока ионизированного пара / М.С. Архипов, В.П. Белевский, С.В. Денбновецкий, А.І. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский // Авт. св. СССР № 1194040, 1985.

Устройство ионно-термического испарения материалов / М.С. Архипов, С.В. Денбновецкий, В.П. Белевский, А.І. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский // Авт. св. СССР № 1176635, 1985.

•    Які результати науково-дослідної роботи впроваджені у навчальний процес за останні 5 років:
Підготовлений новий курс лекцій „Фізичні основи електроніки”;
Розроблені 8 нових лабораторних роботи з курсів „Фізичні основи електроніки”.
Підготовлено учбово-методичний посібник ”  “.
Наукові дослідження та учбово-дослідницькі лабораторні роботи проводяться в приміщеннях лабораторій 107-12, 03-12 та 03а-12 у складі наукового колективу: доц. Кузьмичєв А.І. – керівника,

доц. Цибульский Л.Ю., ст.викл. Бевза О.Н., провід.інж. Сидоренко С.Б та студенти кафедри ЕП та Пр.

Тематика поточних науково-дослідницьких та дослідно-конструкторських робіт:
1. Моделювання індукційного випаровувача з індуктором-концентратором.
2. Розробка джерел спрямованих потоків нейтральних атомів.

•    Перелік наукових праць, доповідей на конференціях
Періодичні видання

A. Kuzmichev and L. Tsybulsky. Evaporators with Induction Heating and Their Applications / Chapter 13 (P. 269-302) in book «Advances in Induction and Microwave Heating of Mineral and Organic Materials». Ed. S. Grundas. – ISBN: 978-953-307-522-8. – Publisher: InTech, 2011. – 752 p.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Испарители с индукционным нагревом и их применение / Przeglad electrotechniczny (Poland). – ISSN 0033-2097. – 2008. – Rok (Том) 84. – № 3. – S. (с). 32-35.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Термоионное устройство с индукционным испарителем / Н.-техн. Ж. «Приборы и техника эксперимента». – 1992. – № 2. – С. 262-264.

A.I. Kuzmichev, L.Yu. Tsybul’skii. Thermoionic unit with inductive evaporator / Instruments and Experimental Techniques. – 1992. – V. 35, – No. 2. – P. 379-380.

С.А.Воронов, Л.Ю. Цыбульский. Коллимация атомарных потоков индукционных испарителей для создания наноразмерных структур / Н.-техн. Ж. «Электроника и связь». – 2011. – № 2. – С. 23-27.

Цыбульский Л.Ю. Моделирование молекулярно-лучевого осаждения при испарении из тигля / Н.-техн. Ж. «Электроника и связь». – 2010. – № 5. – С. 9-14.

Кузьмичёв А.И. Моделирование осаждения пленок при термовакуумном испарении из тигля / А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский // Н.-техн. Ж. «Электроника и связь». – 2009. – № 4-5. – С. 78-82.

С.А. Воронов, Л.Ю Цыбульский. Использование пучков нейтральных атомов в нанотех­нологиях. Часть 1. Атомная литография / Н.-техн. сб. «Электроника и связь», тематический выпуск «Проблемы электроники», ч.1. – 2007. – № 6 (41). – С. 46- 49.

С.А. Воронов, Л.Ю. Цыбульский. Использование пучков нейтральных атомов в нанотехнологиях. Часть 2. Атомная литография / Н.-техн. сб. «Электроника и связь», тематический выпуск «Проблемы электроники», ч.3. – 2007. – № 6 (41) . – С. 13-18.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Разработка задач-тестов для программ расчёта массопереноса из цилиндрического тигля-испарителя при осаждении тонких плёнок в молекулярном режиме / Н.-техн. Ж. «Электроника и связь». – 2003. – № 19. – С. 125-127.

Цыбульский Л.Ю. Пути улучшения характеристик индукционных испарителей / Электроника и связь (Киев). – 2003. – № 20. – С. 157-160.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский, А.А. Светлов. Условия возникновения полокатодного разряда в тигельном термоионном устройстве с индукционным нагревом / Н.-техн. Ж. «Электроника и связь». – 2000. – № 8. Т. 1. – С. 96-99.

Л.Ю. Цыбульский.  Исследование полокатодного эффекта в термоионном устройстве с индукционным нагрівом // Н.-техн. Ж. «Электроника и связь».– 1998. – Вып. 4. – Ч. III. – С. 495-499.

С.О. Майкут, Л.Ю. Цибульский. Моделювання індукційного випарника з концентратором електромагнітного поля / Труди 5-й конф. «Електроніка та інформаційні технології» (Чинадієво Закарпатської обл.). – 2013. – С. 145-148.

A. Kuzmichev, L. Tsybulskiy, A. Bogdanovich. Simulation of induction evaporator / Proc. 32nd Int. Sci. Conf. – «ELNANO – «Electronics and Nanotechnology» (Kiev). – 2012. P. 60.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский, И.В. Буторина. Использование индукционного нагрева в технологиях получения наноматериалов / Труди Междунар. н.-техн. конф. «Нанотехнологии функциональных материалов НФМ’10» (Санкт-Петербург). – 2010. – С. 334-335.

A. Kuzmichev, L. Tsybulsky. Evaporators with induction heating and their application / Proc. 5thInt. Conf. «NEET-2007 – New Electrical and Electronic Technologies and their Industrial Implementation» (Poland, Zakopane). – 2007. – P. 27.

Воронов С.А., Цыбульский Л.Ю. Получение узконаправленных пучков нейтральных атомов / // Сб. докл. 8-го Междунар. укр.-росс. сем. «Нанофизика и наноэлектроника” (Киев). – 2007. – С.123-125.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Получение и обработка микро- и нанодисперсных материалов с помощью индукционного нагрева / Сб. докл. 18-го Междунар. симп. «Тонкие пленки в оптике и наноэлектронике» в рамках Харьковской Нанотехнологической Ассамблеи (Харьков). – 2006. – Т. 2. – С. 50-59.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Индукционный нагрев в технологии получения и обработки микро- и нанодисперсных материалов / Мат. 12-й Междунар. н.-техн. конф. «Высокие технологии в промышленности России – Материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники» (Москва). – 2006. – С. 122-131.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Испарители с индукционным нагревом / Сб. докл. 5-я Междунар. н.-техн. конф. «Вакуумные нанотехнологии и оборудование» (Харьков). – 2002. – С. 252-256.

A.I. Kuzmichev, S.B. Sidorenko, L.Yu. Tsybulsky, V.Yu. Kulikovsky. Pulsed discharges in magnetic field for thin film deposition / Proc. 12th Symp. on Application of Plasma Processes (Slovakia, Liptovsky Jan). – 1999. P. 188-189.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Импульсная модуляция индукционного нагрева в системах термо-ионного осаждения покрытий / Сб. докл. Междунар. н.-техн. конф. «Проблемы физической и биомедицинской электроники» (Киев). – 1996. – С. 96-98.

Цыбульский Л.Ю. Анализ микропримесей в плёнках алюминия, полученных индукционным испарением / Сб. докл. Междунар. н.-техн. конф. «Проблемы физической и биомедицинской электроники» (Киев). – 1996. – С. 274-278.

С.В. Денбновецкий, А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Моделирование устройств термовакуумного испарения / Тез. докл. Респ. н.-техн. конф. «Проблемы автоматизированного моделирования в электронике» (Киев, 1993). – С. 30-31.

А.С. Калмыков, А.И. Кузьмичёв, А.И. Цыбульский. Магнетронные системы для нанесения покрытий на товары народного потребления / Тез. докл. 3-я Харьковская вакуумная конф. совместно с сем.-совещ. «Системы откачки ускорителей и термоядерных реакторов» (Харьков) – 1993. – С. 26.

С.В. Денбновецкий, Л.Ю. Цыбульский, А.И. Кузьмичёв. Модель распределения покрытия при осаждении из источника с развитой поверхностью / Тез. докл. н.-техн. конф. «Ионно-плазменные технологии получения пленок и покрытий» (Полтава) 1991. – С. 39.

Цыбульский Л.Ю. Математическая модель устройства индукционного испарения / Тез. докл. н.-техн. конф. «Ионно-плазменные технологии получения пленок и покрытий» (Полтава) 1991. – С. 41.

Н.Н. Бондаренко, О.Я. Гаврилюк, А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Применение индукционного испарения для получения металлических покрытий / Тез. докл. Всес. н.-техн. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Новосибирск). – 1990. – Ч. 2. – С. 74.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Магнетронное распылительное устройство с многопозиционной подвижной мишенью / Мат. 2-й Межотрасл. н.-техн. сем. «Физические основы и новые направления плазменной технологии в микроэлектронике» (Харьков). – 1990. – Т. 1. – С. 104.

А.И, Кузьмичёв, Э.Ф. Массалитин, Л.Ю. Цыбульский. Термоионная металлизация полиимидных подложек / Мат. сем. «Физика и технология тонкопленочных полимерных систем» (Гомель). – 1990. – С. 58

А.И. Кузьмичёв, В.Д. Мироненко, Л.Ю. Цыбульский, А.Р. Шевцов. Импульсное управление средней мощностью ВЧ генератора установки индукционного нагрева / Тез. докл. Всес. н.-техн. конф. «Электронное приборостроение» (Новосибирск). – 1988. – С. 38.

М.С. Архипов, С.В. Денбновецкий, А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Применение индукционного испарения для напыления металлических плёнок / Тез. докл. 6-й отрасл. н.-техн. конф. «Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем» (Москва). – 1986. (Тезисы докладов конференций. Сер. 3. Микроэлектроника. – М.: ЦНИИ «Электроника», 1986. – Вып. 4(234). – С.70).

М.С. Архипов, А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Исследование ионизации пара в высокочастотном дуговом разряде для вакуумной металлизации / Тез. докл. 11-й Всесоюз. научн. конф. «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники» (Минск). – 1985. – С.58.

В.С. Болдасов, А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский. Моделирование потоков быстрых тяжелых частиц в устройствах ионной обработки / Тез. докл. 11-й Всесоюз. научн. конф. «Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники» (Минск). – 1985. – С.60.

А.И. Кузьмичёв, И.А. Кривоконь, Л.Ю. Цыбульский. Тепловая модель индукционного испарителя / Вестник Киевского Политехнического института. Радиоэлектроника. – 1991. – Вып. 28. – С. 21-23.

А.И. Кузьмичёв, А.Э. Нусупов, Л.Ю. Цыбульский. Массоперенос из линейно-дискретного источника на движущуюся ленточную подложку / Вестник Киевского Политехнического института. Радиоэлектроника. – 1989. – Вып. 26. – С. 89-92.

А.И. Кузьмичёв, Л.Ю. Цыбульский, А.Р. Шевцов. Характеристики рефлектометров для систем возбуждения высокочастотных газовых разрядов / Вестник Киевского Политехнического института. Радиоэлектроника. – 1988. – Вып. 25. – С. 78-81.