Моделювання фізичних процесів в електроніці (стор. 2)
Модель МДН-транзистору.
Автор: Шнуренко Сергій
Фізична модель МДН-транзистору (MOSFET-транзистор). Моделювання виконано в Comsol Multiphysics.
Модель контакту Шотткі (діоду Шотткі).
Автор: Решетник Денис
Змодельовано поведінку ідеального діоду Шотткі, зробленого з вольфрамового контакту, що нанесений на кремнієву пластину. Вихідна залежність щільності струму від поданої напруги порівнюється із даними, що отримані з довідкової літератури. Моделювання виконано в Comsol Multiphysics.
Коли метал контактує з напівпровідником, при контакті виникає потенціальний бар’єр. Це наслідок різних значень роботи виходу металу і напівпровідника.
У даній роботі модель призвана змоделювати поведінку ідеального діоду Шотткі. Під словом «ідеальний» мається на увазі те, що при обчисленні струму, що протікає між металом і напівпровідником, було знехтувано ефектами дифузії, тунелювання та іншими зовнішніми чинниками.
Модель p-n переходу.
Автор: Царенко Петро
pn-діоди мають велике значення в сучасних електронних приладах. Він часто використовується як випрямляч для перетворення змінного струму в постійний струм, блокуючи або позитивну, або негативну половину хвилі змінного струму. Наведений приклад імітує поведінку pn-діоду в часі, що використовується як активний компонент напівперіодного ланцюга випрямлення.
Модель циліндричного конденсатору.
Автор: Тищенко Олексій
Представлена фізична модель циліндричного конденсатору. Циліндричний конденсатор утворюють дві металеві трубки різних радіусів, що вставлені одна в одну аксіально, тобто так, що їх осі збігаються, і розділені шаром діелектрика. Моделювання виконано в Comsol Multiphysics.