Моделювання фізичних процесів в електроніці (стор. 2)

Модель МДН-транзистору.

Автор: Шнуренко Сергій

Фізична модель МДН-транзистору (MOSFET-транзистор). Моделювання виконано в Comsol Multiphysics.

Модель контакту Шотткі (діоду Шотткі).

Автор: Решетник Денис

Змодельовано поведінку ідеального діоду Шотткі, зробленого з вольфрамового контакту, що нанесений на кремнієву пластину. Вихідна залежність щільності струму від поданої напруги порівнюється із даними, що отримані з довідкової літератури. Моделювання виконано в Comsol Multiphysics.

Коли метал контактує з напівпровідником, при контакті виникає потенціальний бар’єр. Це наслідок різних значень роботи виходу металу і напівпровідника.

У даній роботі модель призвана змоделювати поведінку ідеального діоду Шотткі. Під словом «ідеальний» мається на увазі те, що при обчисленні струму, що протікає між металом і напівпровідником, було знехтувано ефектами дифузії, тунелювання та іншими зовнішніми чинниками.

Модель p-n переходу.

Автор: Царенко Петро

pn-діоди мають велике значення в сучасних електронних приладах. Він часто використовується як випрямляч для перетворення змінного струму в постійний струм, блокуючи або позитивну, або негативну половину хвилі змінного струму. Наведений приклад імітує поведінку pn-діоду в часі, що використовується як активний компонент напівперіодного ланцюга випрямлення.

Модель циліндричного конденсатору.

Автор: Тищенко Олексій

Представлена фізична модель циліндричного конденсатору. Циліндричний конденсатор утворюють дві металеві трубки різних радіусів, що вставлені одна в одну аксіально, тобто так, що їх осі збігаються, і розділені шаром діелектрика. Моделювання виконано в Comsol Multiphysics.